کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
700930 | 1460813 | 2010 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Controlled incorporation of mid-to-high Z transition metals in CVD diamond
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We report on a general method to fabricate transition metal related defects in diamond. Controlled incorporation of Mo and W in synthetic CVD diamond was achieved by adding volatile metal precursors to the diamond chemical vapor deposition (CVD) growth process. Effects of deposition temperature, grain structure and precursor exposure on the incorporation efficiency were systematically studied, and doping levels of up to 0.25 at.% have been achieved. The metal atoms are uniformly distributed throughout the diamond grains without any indication of inclusion formation. These results are discussed in context of the kinetically controlled growth process of CVD diamond.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Diamond and Related Materials - Volume 19, Issues 5–6, May–June 2010, Pages 643–647
Journal: Diamond and Related Materials - Volume 19, Issues 5–6, May–June 2010, Pages 643–647
نویسندگان
M.M. Biener, J. Biener, S.O. Kucheyev, Y.M. Wang, B. El-Dasher, N.E. Teslich, A.V. Hamza, H. Obloh, W. Mueller-Sebert, M. Wolfer, T. Fuchs, M. Grimm, A. Kriele, C. Wild,