کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
701330 | 1460819 | 2007 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Diamond merged diode
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
To obtain high blocking voltages and low forward losses in power diode structures, a Schottky contact can be merged with a MIS contact or a pn-junction. In this configuration, the Schottky contact is responsible for a low forward threshold voltage and the MIS or pn-junction for a low reverse leakage current and a high breakdown voltage. In this study, a diamond merged diode structure has been fabricated and evaluated, containing simultaneously an Al or W:Si-Schottky contact and a boron/nitrogen pn-junction. The IV characteristics show a low forward barrier of 1.5 eV, a current rectification ratio of 109 at R.T., and a reverse breakdown at 2.5 MV/cm. Rectification has been obtained up to 1000 °C (in vacuum).
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Diamond and Related Materials - Volume 16, Issues 4–7, April–July 2007, Pages 1033–1037
Journal: Diamond and Related Materials - Volume 16, Issues 4–7, April–July 2007, Pages 1033–1037
نویسندگان
M. Kubovic, H. El-Hajj, J.E. Butler, E. Kohn,