کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
702385 | 891096 | 2007 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Orientation relationship in diamond and silicon carbide composites
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The interface structure in diamond–silicon carbide composites was studied by transmission electron microscopy. A previously unreported orientation relationship between diamond and silicon carbide was found, where the diamond (111) plane is parallel to the cubic silicon carbide (111) plane, while the <110> direction of one crystal is aligned with the <112> direction of the other. A schematic plane-view study shows that the above orientation gives rise to the smallest degree of lattice mismatch between the two materials while preserving the tetrahedral coordination across the interface.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Diamond and Related Materials - Volume 16, Issue 3, March 2007, Pages 562–565
Journal: Diamond and Related Materials - Volume 16, Issue 3, March 2007, Pages 562–565
نویسندگان
Joon Seok Park, Robert Sinclair, David Rowcliffe, Margaret Stern, Howard Davidson,