کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
702513 | 1460823 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Passivation effects of deuterium exposure on boron-doped CVD homoepitaxial diamond
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Passivation effects of deuterium exposure on boron-doped CVD homoepitaxial diamond Passivation effects of deuterium exposure on boron-doped CVD homoepitaxial diamond](/preview/png/702513.png)
چکیده انگلیسی
The deuterium (hydrogen) passivation effect on acceptors in boron-doped CVD homoepitaxial diamond was studied by electrical (Hall-effect) and secondary ion mass spectroscopy (SIMS) measurements. Deuterium was incorporated into the samples using microwave (MW) deuterium plasma at 673 K for 2–24 h. We observed the progress of acceptor passivation with p-type conduction, which finally resulted in a highly resistive state.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Diamond and Related Materials - Volume 14, Issues 11–12, November–December 2005, Pages 2023–2026
Journal: Diamond and Related Materials - Volume 14, Issues 11–12, November–December 2005, Pages 2023–2026
نویسندگان
Masahiko Ogura, Norikazu Mizuochi, Satoshi Yamasaki, Hideyo Okushi,