کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
702751 | 891108 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Technology of passivated surface channel MESFETs with modified gate structures
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Surface channel MESFETs have suffered from instabilities and drift in the past. To overcome these effects a suitable device passivation seems to be one of the key aspects. In this investigation such a passivation scheme on the basis of Atomic Layer Deposition (ALD) of Al2O3 has been developed and combined with advanced gate structures, like a field plate and a second MOS gate (in a dual gate configuration).
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Diamond and Related Materials - Volume 18, Issue 10, October 2009, Pages 1306–1309
Journal: Diamond and Related Materials - Volume 18, Issue 10, October 2009, Pages 1306–1309
نویسندگان
D. Kueck, S. Jooss, E. Kohn,