کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
703474 | 1460817 | 2008 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Optical evaluation of carrier lifetime and diffusion length in synthetic diamonds
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Optical evaluation of carrier lifetime and diffusion length in synthetic diamonds Optical evaluation of carrier lifetime and diffusion length in synthetic diamonds](/preview/png/703474.png)
چکیده انگلیسی
The key electronic parameters of high-pressure-high-temperature and chemical-vapor-deposition grown diamonds have been determined at interband (hν = 5.82 eV) or below bandgap (hν = 4.68 eV) photoexcitation, using a picosecond transient grating (TG) technique. TG kinetics directly provided the values of ambipolar diffusion coefficient (6–10 cm2/s) and carrier lifetime (in a range from 0.17 to 2.8 ns) for crystals grown under different conditions. The carrier diffusion length was found to vary from 0.5 μm in CVD layers to 1.6 μm for IIa type HPHT diamond crystal. The carrier lifetimes correlated well with the nitrogen-related defect density in both types of diamonds.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Diamond and Related Materials - Volume 17, Issues 7–10, July–October 2008, Pages 1212–1215
Journal: Diamond and Related Materials - Volume 17, Issues 7–10, July–October 2008, Pages 1212–1215
نویسندگان
T. Malinauskas, K. Jarasiunas, E. Ivakin, V. Ralchenko, A. Gontar, S. Ivakhnenko,