کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
703476 | 1460817 | 2008 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Non-equilibrium charge carrier dynamics in synthetic diamond studied by the μSR-method
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Non-equilibrium charge carrier dynamics in synthetic diamond studied by the μSR-method Non-equilibrium charge carrier dynamics in synthetic diamond studied by the μSR-method](/preview/png/703476.png)
چکیده انگلیسی
Polarized negative muons were used to study the dynamics of non-equilibrium charge carriers in diamond. From the behavior of the muon polarization it is concluded that the acceptor center μB in diamond is formed in the diamagnetic state (with the probability close to unity) and then, by capturing a hole, turns to the paramagnetic state. The hole capture rate by an ionized acceptor center μB− in synthetic diamond was found to depend on temperature as 1/Tα, where α = (1.5–2.5) at T > 80 K.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Diamond and Related Materials - Volume 17, Issues 7–10, July–October 2008, Pages 1221–1224
Journal: Diamond and Related Materials - Volume 17, Issues 7–10, July–October 2008, Pages 1221–1224
نویسندگان
T.N. Mamedov, A.S. Baturin, V.D. Blank, D. Herlach, V.N. Gorelkin, K.I. Gritsaj, M.S. Kuznetsov, S.A. Nosukhin, V.G. Ralchenko, A.V. Stoykov, S.A. Terentiev, V.A. Zhukov, U. Zimmermann,