کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
703725 | 1460822 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Nanocrystalline diamond pn-structure grown by Hot-Filament CVD
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
A rectifying nanocrystalline diamond (NCD) pn-structure has been grown by Hot-Filament CVD onto a large-area silicon substrate. N-type as well as p-type doping has been realized with this HFCVD process. IV-measurements at different temperatures show a diode behavior with an ideality factor of approximately n = 10 and a barrier height for current injection of approximately 0.76 eV. CV-plots show a dielectric barrier of 4.2 eV. This points towards a complex interface behavior, which is analysed on the basis of highly disordered materials.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Diamond and Related Materials - Volume 15, Issues 2–3, February–March 2006, Pages 203–206
Journal: Diamond and Related Materials - Volume 15, Issues 2–3, February–March 2006, Pages 203–206
نویسندگان
T. Zimmermann, K. Janischowsky, A. Denisenko, F.J. Hernández Guillén, M. Kubovic, D.M. Gruen, E. Kohn,