| کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن | 
|---|---|---|---|---|
| 7111061 | 1460750 | 2018 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان | 
عنوان انگلیسی مقاله ISI
												Normally-off hydrogen-terminated diamond field-effect transistor with Al2O3 dielectric layer formed by thermal oxidation of Al
												
											دانلود مقاله + سفارش ترجمه
													دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
																																												کلمات کلیدی
												
											موضوعات مرتبط
												
													مهندسی و علوم پایه
													سایر رشته های مهندسی
													مهندسی برق و الکترونیک
												
											پیش نمایش صفحه اول مقاله
												
												ناشر
												Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Diamond and Related Materials - Volume 81, January 2018, Pages 113-117
											Journal: Diamond and Related Materials - Volume 81, January 2018, Pages 113-117
نویسندگان
												Yan-Feng Wang, Xiaohui Chang, Xiaofan Zhang, Jiao Fu, Shuwei Fan, Renan Bu, Jingwen Zhang, Wei Wang, Hong-Xing Wang, Jingjing Wang,