کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
7111061 1460750 2018 5 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Normally-off hydrogen-terminated diamond field-effect transistor with Al2O3 dielectric layer formed by thermal oxidation of Al
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه سایر رشته های مهندسی مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Normally-off hydrogen-terminated diamond field-effect transistor with Al2O3 dielectric layer formed by thermal oxidation of Al
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Diamond and Related Materials - Volume 81, January 2018, Pages 113-117
نویسندگان
, , , , , , , , , ,