کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7111061 | 1460750 | 2018 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Normally-off hydrogen-terminated diamond field-effect transistor with Al2O3 dielectric layer formed by thermal oxidation of Al
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله

ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Diamond and Related Materials - Volume 81, January 2018, Pages 113-117
Journal: Diamond and Related Materials - Volume 81, January 2018, Pages 113-117
نویسندگان
Yan-Feng Wang, Xiaohui Chang, Xiaofan Zhang, Jiao Fu, Shuwei Fan, Renan Bu, Jingwen Zhang, Wei Wang, Hong-Xing Wang, Jingjing Wang,