به طور معمول خاموش

در این صفحه تعداد 22 مقاله تخصصی درباره به طور معمول خاموش که در نشریه های معتبر علمی و پایگاه ساینس دایرکت (Science Direct) منتشر شده، نمایش داده شده است. برخی از این مقالات، پیش تر به زبان فارسی ترجمه شده اند که با مراجعه به هر یک از آنها، می توانید متن کامل مقاله انگلیسی همراه با ترجمه فارسی آن را دریافت فرمایید.
در صورتی که مقاله مورد نظر شما هنوز به فارسی ترجمه نشده باشد، مترجمان با تجربه ما آمادگی دارند آن را در اسرع وقت برای شما ترجمه نمایند.

مقالات ISI به طور معمول خاموش (ترجمه نشده)

مقالات زیر هنوز به فارسی ترجمه نشده اند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.

Low-temperature characteristics of normally-off AlGaN/GaN-on-Si gate-recessed MOSHFETs

Keywords: به طور معمول خاموش; Low-temperature; Cryogenic; AlGaN/GaN-on-Si; Normally-off; Power; Heterostructure; Recessed-gate; Mobility; 2-DEG;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2018 سفارش ترجمه

Normally-off Al2O3/GaN MOSFET: Role of border traps on the device transport characteristics

Keywords: به طور معمول خاموش; AlGaN/GaN MOSFET; Border traps; Self-terminating; Normally-off;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2018 سفارش ترجمه

Normally-off hydrogen-terminated diamond field-effect transistor with Al2O3 dielectric layer formed by thermal oxidation of Al

Keywords: به طور معمول خاموش; Diamond film; MOSFET; Hydrogen-terminated; MPCVD; Normally-off;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2018 سفارش ترجمه

Normally-off AlGaN/GaN-based MOS-HEMT with self-terminating TMAH wet recess etching

Keywords: به طور معمول خاموش; Normally-off; Gate recess; Self-terminating wet etching; TMAH solution; Negligible hysteresis;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2018 سفارش ترجمه

Simulation design of high Baliga's figure of merit normally-off PGaN gate AlGaN/GaN heterostructure field effect transistors with junction field plates

Keywords: به طور معمول خاموش; PGaN gate AlGaN/GaN heterostructure field effect transistors; Normally-off; Junction field plate; Baliga's figure of merit; Breakdown voltage;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2018 سفارش ترجمه

Normally-off AlGaN/GaN heterostructure junction field-effect transistors with blocking layers

Keywords: به طور معمول خاموش; Normally-off; p-GaN cap layer; AlGaN/GaN HJFETs; Blocking layer;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 13 صفحه سال انتشار : 2018 سفارش ترجمه

Normally-off AlGaN/AlN/GaN/Si oxide-passivated HEMTs and MOS-HEMTs by using CF4 plasma and ozone water oxidization treatment

Keywords: به طور معمول خاموش; AlGaN/AlN/GaN; Normally-off; Oxide passivation; MOS-HEMT; Al2O3; Ozone water oxidization; CF4 plasma treatment;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Comparative studies of normally-off Al0.26Ga0.74N/AlN/GaN/Si high electron mobility transistors with different gate structures

Keywords: به طور معمول خاموش; AlGaN/AlN/GaN; Normally-off; Oxide passivation; MOS-HEMT; Al2O3; Ozone water oxidization; CF4 plasma treatment;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

High quality PECVD SiO2 process for recessed MOS-gate of AlGaN/GaN-on-Si metal–oxide–semiconductor heterostructure field-effect transistors

Keywords: به طور معمول خاموش; AlGaN/GaN; PECVD; Silicon dioxide; Normally-off; Recessed-gate

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Oxide interfacial charge engineering towards normally-off AlN/GaN MOSHEMT

Keywords: به طور معمول خاموش; 2DEG; AlN/GaN; MOSHEMT; Normally-off; Oxide interfacial charge; TCAD

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Characteristics of GaN and AlGaN/GaN FinFETs

Keywords: به طور معمول خاموش; AlGaN/GaN; MOSFET; Normally-off; FinFET; Junctionless; Nanochannel

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Normally-off GaN MOSFETs on insulating substrate

Keywords: به طور معمول خاموش; Normally-off; GaN; MOSFET; 2DEG

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Normally-off characteristics of LiNbO3/AlGaN/GaN ferroelectric field-effect transistor

Keywords: به طور معمول خاموش; Ferroelectric films; Lithium niobate; Gallium nitride; Normally-off; Transistors;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Performance enhancement of GaN SB-MOSFET on Si substrate using two-step growth method

Keywords: به طور معمول خاموش; Normally-off; GaN; SB-MOSFET; Two-step growth; MOCVD; ITO; Si(1 1 1)

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

High field-effect mobility normally-off AlGaN/GaN hybrid MOS-HFET on Si substrate by selective area growth technique

Keywords: به طور معمول خاموش; Normally-off; Gallium nitride; Heterojunction field-effect transistor (HFET); MOS; Selective area growth (SAG) technique;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Over 100 A operation normally-off AlGaN/GaN hybrid MOS-HFET on Si substrate with high-breakdown voltage

Keywords: به طور معمول خاموش; Normally-off; Gallium Nitride; Heterojunction field-effect transistor (HFET); MOS; Over 100 A operation

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Fabrication of normally-off mode GaN and AlGaN/GaN MOSFETs with HfO2 gate insulator

Keywords: به طور معمول خاموش; HfO2; AlGaN/GaN; MOSFET; Normally-off

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

250 °C operation normally-off GaN MOSFETs

Keywords: به طور معمول خاموش; GaN; Power devices; Normally-off; High temperature operation; Enhancement mode

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Normally-off trench JFET technology in 4H silicon carbide

Keywords: به طور معمول خاموش; Silicon carbide; Embedded epitaxy; Junction field effect transistor; Normally-off; High-temperature operation