| کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
|---|---|---|---|---|
| 10669869 | 1008842 | 2012 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Normally-off characteristics of LiNbO3/AlGaN/GaN ferroelectric field-effect transistor
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠LiNbO3/AlGaN/GaN ferroelectric field-effect transistors (FFETs) were fabricated. ⺠Normally-off characteristics were shown in the FFETs. ⺠The operation mechanisms of the FFETs were presented.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 520, Issue 19, 31 July 2012, Pages 6313-6317
Journal: Thin Solid Films - Volume 520, Issue 19, 31 July 2012, Pages 6313-6317
نویسندگان
L.Z. Hao, J. Zhu, Y.J. Liu, X.W. Liao, S.L. Wang, J.J. Zhou, C. Kong, H.Z. Zeng, Y. Zhang, W.L. Zhang, Y.R. Li,