کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7111548 | 1460793 | 2013 | 19 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
High-temperature characteristics of Ag and Ni/diamond Schottky diodes
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The high-temperature characteristics of diamond Schottky diodes fabricated using Ag or Ni on in-situ boron-doped diamond were examined. Up to 600 °C, Ag Schottky diodes exhibited a high rectification ratio of the order of 104. Even at ~ 750 °C, their rectification ratio was about 10, indicating that diamond field effect transistors with Ag Schottky diodes can operate at this temperature. In contrast, Ni Schottky diodes did not show clear rectification above 600 °C. An analysis of the I-V curves indicated that the Ag Schottky diodes have a higher rectification ratio than the Ni Schottky diodes at high temperatures due to their higher barrier heights (ÏB = ~ 2.0 and ~ 0.7 eV for Ag and Ni, respectively).
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Diamond and Related Materials - Volume 38, September 2013, Pages 41-44
Journal: Diamond and Related Materials - Volume 38, September 2013, Pages 41-44
نویسندگان
K. Ueda, K. Kawamoto, T. Soumiya, H. Asano,