کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7111601 | 1460801 | 2012 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Fabrication and characterizations of large homoepitaxial single crystal diamond grown by DC arc plasma jet CVD
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠Homoepitaxial single crystal diamond was grown by DC arc plasma jet CVD. ⺠The influence of different deposition parameters on CVD diamond growth was studied. ⺠Large size freestanding single crystal diamond plate was fabricated. ⺠Properties of the CVD epitaxial diamond were close to Type IIa natural diamond.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Diamond and Related Materials - Volume 30, November 2012, Pages 77-84
Journal: Diamond and Related Materials - Volume 30, November 2012, Pages 77-84
نویسندگان
L.F. Hei, J. Liu, C.M. Li, J.H. Song, W.Z. Tang, F.X. Lu,