کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7111615 | 1460808 | 2012 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Infrared analysis of the effect of Ge at the interface between 3C-SiC and Si
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠Infrared analysis of the effects of Ge at the interface between SiC and Si. ⺠Infrared statistical mapping of the interface topography. ⺠Optimization of the growth of 3C-SiC on Si substrate.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Diamond and Related Materials - Volume 22, February 2012, Pages 23-28
Journal: Diamond and Related Materials - Volume 22, February 2012, Pages 23-28
نویسندگان
M. Kazan, M. Tabbal, P. Masri,