کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
7111615 1460808 2012 6 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Infrared analysis of the effect of Ge at the interface between 3C-SiC and Si
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه سایر رشته های مهندسی مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Infrared analysis of the effect of Ge at the interface between 3C-SiC and Si
چکیده انگلیسی
► Infrared analysis of the effects of Ge at the interface between SiC and Si. ► Infrared statistical mapping of the interface topography. ► Optimization of the growth of 3C-SiC on Si substrate.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Diamond and Related Materials - Volume 22, February 2012, Pages 23-28
نویسندگان
, , ,