کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
7111621 1460808 2012 5 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Temperature-dependent resistive switching of amorphous carbon/silicon heterojunctions
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه سایر رشته های مهندسی مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Temperature-dependent resistive switching of amorphous carbon/silicon heterojunctions
چکیده انگلیسی
► The a-C/Si heterojunctions show obvious resistive switching behavior (RSB). ► The RSB is nonvolatile, reproducible and temperature-dependent. ► The a-C/Si heterojunction memory is two-terminal.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Diamond and Related Materials - Volume 22, February 2012, Pages 37-41
نویسندگان
, , , , , ,