کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7111621 | 1460808 | 2012 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Temperature-dependent resistive switching of amorphous carbon/silicon heterojunctions
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠The a-C/Si heterojunctions show obvious resistive switching behavior (RSB). ⺠The RSB is nonvolatile, reproducible and temperature-dependent. ⺠The a-C/Si heterojunction memory is two-terminal.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Diamond and Related Materials - Volume 22, February 2012, Pages 37-41
Journal: Diamond and Related Materials - Volume 22, February 2012, Pages 37-41
نویسندگان
Xili Gao, Xiaozhong Zhang, Caihua Wan, Jimin Wang, Xinyu Tan, Dechang Zeng,