کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7111683 | 1460808 | 2012 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Boron incorporation issues in diamond when TMB is used as precursor: Toward extreme doping levels
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠New strategies to grow (100) diamond layers using TriMethylBoron (TMB) as doping gas. ⺠Fabrication of (100) low doped diamond with state of art RT mobilities. ⺠Links between growth conditions and boron incorporation into the diamond matrix. ⺠Metal-SC transition in metallic wall reactors using TMB as doping gas.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Diamond and Related Materials - Volume 22, February 2012, Pages 136-141
Journal: Diamond and Related Materials - Volume 22, February 2012, Pages 136-141
نویسندگان
Pierre-Nicolas Volpe, Jean-Charles Arnault, Nicolas Tranchant, Gauthier Chicot, Julien Pernot, François Jomard, Philippe Bergonzo,