کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
7111683 1460808 2012 6 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Boron incorporation issues in diamond when TMB is used as precursor: Toward extreme doping levels
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه سایر رشته های مهندسی مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Boron incorporation issues in diamond when TMB is used as precursor: Toward extreme doping levels
چکیده انگلیسی
► New strategies to grow (100) diamond layers using TriMethylBoron (TMB) as doping gas. ► Fabrication of (100) low doped diamond with state of art RT mobilities. ► Links between growth conditions and boron incorporation into the diamond matrix. ► Metal-SC transition in metallic wall reactors using TMB as doping gas.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Diamond and Related Materials - Volume 22, February 2012, Pages 136-141
نویسندگان
, , , , , , ,