کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7140824 | 1462027 | 2018 | 37 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Hydrogen sensing performance of a Pd/HfO2/GaN metal-oxide-semiconductor (MOS) Schottky diode
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی آنالیزی یا شیمی تجزیه
پیش نمایش صفحه اول مقاله
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Sensors and Actuators B: Chemical - Volume 262, 1 June 2018, Pages 852-859
Journal: Sensors and Actuators B: Chemical - Volume 262, 1 June 2018, Pages 852-859
نویسندگان
Huey-Ing Chen, Ching-Hong Chang, Hsin-Hau Lu, I-Ping Liu, Wei-Cheng Chen, Bu-Yuan Ke, Wen-Chau Liu,