کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7150168 | 1462185 | 2018 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Investigation of avalanche ruggedness of 650â¯V Schottky-barrier rectifiers
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Investigation of avalanche ruggedness of 650â¯V Schottky-barrier rectifiers Investigation of avalanche ruggedness of 650â¯V Schottky-barrier rectifiers](/preview/png/7150168.png)
چکیده انگلیسی
Avalanche breakdown of novel 650â¯V SiC Schottky-barrier rectifiers is investigated. The rectifier diode has low leakage current for the temperatures up to 300â¯Â°C. Thermal coefficient of avalanche breakdown increases with the temperature to around 0.009%/K at 200â¯Â°C. Near-uniform avalanche breakdown is verified using emission imaging, and maximum specific avalanche energy of 20.7â¯J/cm2 is achieved. The critical temperature for stability in unclamped inductive switching (UIS) is above 520â¯Â°C as estimated through thermal simulation. Long-term walkout of breakdown voltage at 176â¯Â°C is less than 0.02%.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 148, October 2018, Pages 51-57
Journal: Solid-State Electronics - Volume 148, October 2018, Pages 51-57
نویسندگان
A. Konstantinov, H. Pham, B. Lee, K.S. Park, B. Kang, F. Allerstam, T. Neyer,