کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7150181 | 1462186 | 2018 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A review on terahertz photogalvanic spectroscopy of Bi2Te3- and Sb2Te3-based three dimensional topological insulators
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The paper overviews experimental and theoretical studies of photogalvanic effects induced in BiSbTe-based three dimensional topological insulators by polarized terahertz radiation. We present the state-of-the-art of this subject, including most recent and well-established results. We discuss a phenomenological theory based on symmetry arguments and models illustrating the photocurrents origin. We give a brief glimpse of the underlying microscopic theory, as well as an overview of the main experimental results.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 147, September 2018, Pages 44-50
Journal: Solid-State Electronics - Volume 147, September 2018, Pages 44-50
نویسندگان
Helene Plank, Sergey D. Ganichev,