کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7150190 | 1462186 | 2018 | 18 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Enlarged memory margins for resistive switching devices based on polyurethane film due to embedded Ag nanoparticles
ترجمه فارسی عنوان
حاشیه حافظه گسترده برای دستگاه های سوئیچینگ مقاومتی بر اساس فیلم پلی یورتان به علت نانوذرات جوهری جابجا شده
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
پلی اورتان، نانوذرات نقره، تعویض مقاومت فلاش،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
چکیده انگلیسی
Current-voltage (I-V) properties of indium-tin-oxide/Ag nanoparticles embedded in polyurethane film/Al devices exhibited a current bistability with ON/OFF ratio within the range of 105-103 with the variation of voltage from â0.85 to 3.95â¯V, which was nearly 102 larger than that for the device without Ag nanoparticles. The memory margin was obviously enlarged due to the existence of the Ag nanoparticles embedded in the polyurethane layer. I-V properties and write-read-erase-read voltage cycles test indicated the flash resistive switching properties. The data retention time reach up to 1.8â¯Ãâ¯104â¯s, which manifested the stability of the memory devices. I-V property at ON state was attributed to the drift mechanism, and the property at OFF state was related to the space-charge-limited-current behaviors.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 147, September 2018, Pages 6-12
Journal: Solid-State Electronics - Volume 147, September 2018, Pages 6-12
نویسندگان
Lu Liu, Kailei Lu, Dong Yan, Jiazhen Zhang, Chi Ma, Zhengqiang Jia, Wen Wang, Enming Zhao,