کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7150212 | 1462186 | 2018 | 28 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Physical origin of the non-linearity in amorphous In-Ga-Zn-O thin-film transistor current-voltage characteristics
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The amorphous In-Ga-Zn-O (a-IGZO) thin-film transistor (TFT) current - voltage (I-V) characteristics can be significantly distorted by either series resistance, RS, associated with the source/drain (S/D) contact regions or/and density of states. To isolate Rs contribution we used the five terminals coplanar homojunction TFT structure. Experimental results have shown this device structure has a low S/D contact resistance that do not contribute to observed I-V nonlinearity. We have shown using combination of the experimental data and two- dimensional simulations that the observed nonlinearity can be associated with the conduction band-tail states.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 147, September 2018, Pages 51-57
Journal: Solid-State Electronics - Volume 147, September 2018, Pages 51-57
نویسندگان
Bo-Wei Chen, Eric K. Yu, Ting-Chang Chang, Jerzy Kanicki,