کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7150238 | 1462187 | 2018 | 22 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Terahertz response of a field-effect transistor loaded with a reactive component
ترجمه فارسی عنوان
ترافرز پاسخ یک ترانزیستور میدان اثر با یک مولد واکنش لود شده است
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
چکیده انگلیسی
A study of the small-signal response of a Field-Effect Transistor connected to a purely reactive load is proposed. In particular, this model, using the equivalent admittances approach, is applied to a transistor connected to an inductance L, a capacitance C and LC resonant and anti-resonant circuits. The influence of such frequency-dependent load on the dynamics of the transistor, dominated in the terahertz range by collective plasma behavior, is investigated. This leads to the possibilities of shifting, amplifying or softening resonances appearing in the voltage gain spectrum. The effect of a resistive part of the load is also estimated.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 146, August 2018, Pages 21-27
Journal: Solid-State Electronics - Volume 146, August 2018, Pages 21-27
نویسندگان
Abdel Majid Mammeri, Fatima Zohra Mahi, Hugues Marinchio, Cristophe Palermo, Luca Varani,