کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7150264 | 1462188 | 2018 | 11 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Numerical modeling of reverse recovery characteristic in silicon pin diodes
ترجمه فارسی عنوان
مدلسازی عددی از ویژگی بازیابی معکوس در دیودهای پین سیلیکونی
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
ترجمه چکیده
یک مدل جدید معکوس عددی معکوس دیود پین سیلیکونی با تقریب شکل موج بازیابی معکوس به عنوان یک شکل ساده پیشنهاد شده است. این اولین مدل برای محاسبه ویژگی های بازیابی معکوس با استفاده از معادلات عددی است که با تنظیم معادلات و پارامترهای اتصالات تنظیم نمی شود. به منظور بررسی اعتبار و دقت مدل عددی، نتیجه محاسبات از مدل از طریق نتیجه شبیه سازی دستگاه تأیید می شود.
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
چکیده انگلیسی
A new numerical reverse recovery model of silicon pin diode is proposed by the approximation of the reverse recovery waveform as a simple shape. This is the first model to calculate the reverse recovery characteristics using numerical equations without adjusted by fitting equations and fitting parameters. In order to verify the validity and the accuracy of the numerical model, the calculation result from the model is verified through the device simulation result.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 145, July 2018, Pages 8-18
Journal: Solid-State Electronics - Volume 145, July 2018, Pages 8-18
نویسندگان
Yusuke Yamashita, Hiroshi Tadano,