کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7150437 | 1462191 | 2018 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
SOI MESFETs on high-resistivity, trap-rich substrates
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The DC and RF characteristics of metal-semiconductor field-effect-transistors (MESFETs) on conventional CMOS silicon-on-insulator (SOI) substrates are compared to nominally identical devices on high-resistivity, trap-rich SOI substrates. While the DC transfer characteristics are statistically identical on either substrate, the maximum available gain at GHz frequencies is enhanced by â¼2â¯dB when using the trap-rich substrates, with maximum operating frequencies, fmax, that are approximately 5-10% higher. The increased fmax is explained by the reduced substrate conduction at GHz frequencies using a lumped-element, small-signal model.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 142, April 2018, Pages 47-51
Journal: Solid-State Electronics - Volume 142, April 2018, Pages 47-51
نویسندگان
Payam Mehr, Xiong Zhang, William Lepkowski, Chaojiang Li, Trevor J. Thornton,