کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7150556 | 1462193 | 2018 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Highly uniform and reliable resistive switching characteristics of a Ni/WOx/p+-Si memory device
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Highly uniform and reliable resistive switching characteristics of a Ni/WOx/p+-Si memory device Highly uniform and reliable resistive switching characteristics of a Ni/WOx/p+-Si memory device](/preview/png/7150556.png)
چکیده انگلیسی
In this paper, we investigate the resistive switching behavior of a bipolar resistive random-access memory (RRAM) in a Ni/WOx/p+-Si RRAM with CMOS compatibility. Highly unifrom and reliable bipolar resistive switching characteristics are observed by a DC voltage sweeping and its switching mechanism can be explained by SCLC model. As a result, the possibility of metal-insulator-silicon (MIS) structural WOx-based RRAM's application to Si-based 1D (diode)-1R (RRAM) or 1T (transistor)-1R (RRAM) structure is demonstrated.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 140, February 2018, Pages 51-54
Journal: Solid-State Electronics - Volume 140, February 2018, Pages 51-54
نویسندگان
Tae-Hyeon Kim, Sungjun Kim, Hyungjin Kim, Min-Hwi Kim, Suhyun Bang, Seongjae Cho, Byung-Gook Park,