کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی ترجمه فارسی نسخه تمام متن
7150768 1462216 2016 27 صفحه PDF سفارش دهید دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A review of electrical characterization techniques for ultrathin FDSOI materials and devices
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
سفارش ترجمه تخصصی
با تضمین قیمت و کیفیت
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه سایر رشته های مهندسی مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
A review of electrical characterization techniques for ultrathin FDSOI materials and devices
چکیده انگلیسی
The characterization of nanosize SOI materials and devices is challenging because multiple oxides, interfaces and channels coexist. Conventional measurement methods need to be replaced, or at least updated. We review the routine techniques that proved efficient for the evaluation of bare SOI wafers (essentially the pseudo-MOSFET) and of MOS structures (transistors and gated diodes). Informative examples are selected to illustrate the typical properties of advanced SOI wafers and MOSFETs. We will show how the ultrathin film and short-channel effects affect the interpretation of the experimental data.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 117, March 2016, Pages 10-36
نویسندگان
, , ,
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
سفارش ترجمه تخصصی
با تضمین قیمت و کیفیت