کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7150922 | 1462217 | 2016 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Comprehensive understanding of charge lateral migration in 3D SONOS memories
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The effects and mechanisms responsible for charge lateral migration in 3D SONOS devices are studied in detail. We evaluated the electron lateral migration at room temperature and at 150 °C in 3D SONOS devices. Through interpretation of measurements and simulations, we found that lateral migration shows similar emission rates of Poole-Frenkel effect and therefore it is linked to the same trap energy profile. This feature should be included in a model to properly simulate 3D SONOS retention transients. Further experiments and simulations show no influence of SiN thickness nor P/E cycles on lateral migration.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 116, February 2016, Pages 95-99
Journal: Solid-State Electronics - Volume 116, February 2016, Pages 95-99
نویسندگان
Lifang Liu, Antonio Arreghini, Geert Van den bosch, Liyang Pan, Jan Van Houdt,