کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7150990 | 1462221 | 2015 | 11 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Investigation of the width-dependent static characteristics of graphene nanoribbon field effect transistors using non-parabolic quantum-based model
ترجمه فارسی عنوان
بررسی خصوصیات استاتیک وابسته به عرض ترانزیستورهای اثر میدان نانوربین با گرافن با استفاده از مدل کوانتومی غیر پارابولی
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
چکیده انگلیسی
We conclude that increasing the GNR width in both GNR families increases the leakage current and subthreshold swing, and decreases ION/IOFF ratio. In this scenario, GNR group (3p+1,0) leads to superior off-state performance such that GNR (7,0) has off-state current close to 2.5 Ã 10â16 A, five orders of magnitude lower than GNR (6,0) as well as 67 mV/decade subthreshold swing which is much smaller than that of 90 mV/decade in GNR (6,0).
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 111, September 2015, Pages 80-90
Journal: Solid-State Electronics - Volume 111, September 2015, Pages 80-90
نویسندگان
Yaser M. Banadaki, Ashok Srivastava,