کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7151111 | 1462258 | 2012 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Nanoscale carrier injectors for high luminescence Si-based LEDs
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠We show a â¼165à increase in power efficiency in Si LEDs with nanoscale contacts. ⺠Our devices are fabricated with a CMOS compatible process. ⺠We support the experimental results with simulation. ⺠Simulation suggest an ideal contact size between 100 and 500 nm.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 74, August 2012, Pages 43-48
Journal: Solid-State Electronics - Volume 74, August 2012, Pages 43-48
نویسندگان
G. Piccolo, A.Y. Kovalgin, J. Schmitz,