کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7151125 | 1462258 | 2012 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Comprehensive investigation of the impact of lateral charge migration on retention performance of planar and 3D SONOS devices
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠Experimental evidence of lateral charge migration in planar device is shown. ⺠A 2D model able to reproduce the retention transients is developed. ⺠The model is applied to vertical cylindrical device to simulate retention. ⺠Disturbs to neighboring cells due to lateral charge migration is evaluated. ⺠Impact of the lateral migrated charge on the cell's string resistance is evaluated.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 74, August 2012, Pages 64-70
Journal: Solid-State Electronics - Volume 74, August 2012, Pages 64-70
نویسندگان
A. Maconi, A. Arreghini, C. Monzio Compagnoni, G. Van den bosch, A.S. Spinelli, J. Van Houdt, A.L. Lacaita,