کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
7151125 1462258 2012 7 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Comprehensive investigation of the impact of lateral charge migration on retention performance of planar and 3D SONOS devices
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه سایر رشته های مهندسی مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Comprehensive investigation of the impact of lateral charge migration on retention performance of planar and 3D SONOS devices
چکیده انگلیسی
► Experimental evidence of lateral charge migration in planar device is shown. ► A 2D model able to reproduce the retention transients is developed. ► The model is applied to vertical cylindrical device to simulate retention. ► Disturbs to neighboring cells due to lateral charge migration is evaluated. ► Impact of the lateral migrated charge on the cell's string resistance is evaluated.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 74, August 2012, Pages 64-70
نویسندگان
, , , , , , ,