کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7151125 | 1462258 | 2012 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Comprehensive investigation of the impact of lateral charge migration on retention performance of planar and 3D SONOS devices
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Comprehensive investigation of the impact of lateral charge migration on retention performance of planar and 3D SONOS devices Comprehensive investigation of the impact of lateral charge migration on retention performance of planar and 3D SONOS devices](/preview/png/7151125.png)
چکیده انگلیسی
⺠Experimental evidence of lateral charge migration in planar device is shown. ⺠A 2D model able to reproduce the retention transients is developed. ⺠The model is applied to vertical cylindrical device to simulate retention. ⺠Disturbs to neighboring cells due to lateral charge migration is evaluated. ⺠Impact of the lateral migrated charge on the cell's string resistance is evaluated.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 74, August 2012, Pages 64-70
Journal: Solid-State Electronics - Volume 74, August 2012, Pages 64-70
نویسندگان
A. Maconi, A. Arreghini, C. Monzio Compagnoni, G. Van den bosch, A.S. Spinelli, J. Van Houdt, A.L. Lacaita,