کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7151131 | 1462258 | 2012 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Transient electro-thermal characterization of Si-Ge heterojunction bipolar transistors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Transient electro-thermal characterization of Si-Ge heterojunction bipolar transistors Transient electro-thermal characterization of Si-Ge heterojunction bipolar transistors](/preview/png/7151131.png)
چکیده انگلیسی
⺠The self-heating of SiGe HBTs has been studied through 3D TCAD simulations and pulse measurements. ⺠The influence of back-end metallization on RTH and CTH are investigated. ⺠Recursive network is verified with thermal modeling and found to be in excellent agreement.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 74, August 2012, Pages 77-84
Journal: Solid-State Electronics - Volume 74, August 2012, Pages 77-84
نویسندگان
Amit Kumar Sahoo, Mario WeiÃ, Sébastien Fregonese, Nathalie Malbert, Thomas Zimmer,