کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7151149 | 1462258 | 2012 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Compensation of externally applied mechanical stress by stacking of ultrathin chips
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠A new concept for compensating mechanical stress on CMOS devices in ultrathin chips is proposed. ⺠By stacking two ultrathin chips the stress-free neutral line is shifted into the device layers. ⺠Both chip thickness and adhesive layer thickness have to be accurately controlled. ⺠The maximum curvature of the flexible stack is higher compared to the single-chip.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 74, August 2012, Pages 102-107
Journal: Solid-State Electronics - Volume 74, August 2012, Pages 102-107
نویسندگان
Stefan Endler, Horst Rempp, Christine Harendt, Joachim N. Burghartz,