کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
7151149 1462258 2012 6 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Compensation of externally applied mechanical stress by stacking of ultrathin chips
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه سایر رشته های مهندسی مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Compensation of externally applied mechanical stress by stacking of ultrathin chips
چکیده انگلیسی
► A new concept for compensating mechanical stress on CMOS devices in ultrathin chips is proposed. ► By stacking two ultrathin chips the stress-free neutral line is shifted into the device layers. ► Both chip thickness and adhesive layer thickness have to be accurately controlled. ► The maximum curvature of the flexible stack is higher compared to the single-chip.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 74, August 2012, Pages 102-107
نویسندگان
, , , ,