کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7151176 | 1462262 | 2012 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Function of the parasitic bipolar transistor in the 40Â nm PD SOI NMOS device considering the floating body effect
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠Parasitic bipolar device in PD SOI NMOS device with floating body effect is important. ⺠Function of the parasitic bipolar device during DC and transient operations is modeled. ⺠A smaller rise time at gate leads to a faster turn-on due to a stronger parasitic bipolar.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 70, April 2012, Pages 3-7
Journal: Solid-State Electronics - Volume 70, April 2012, Pages 3-7
نویسندگان
C.H. Chena, J.B. Kuo, D. Chen, C.S. Yeh,