کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7151181 | 1462262 | 2012 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
CMOS without doping: Multi-gate silicon-nanowire field-effect-transistors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠Dopant-free CMOS multi-gate silicon-nanowire FET logic SOI technology. ⺠Device type (i.e. PMOS or NMOS) simply selected via back-gate voltage. ⺠Superior temperature hardness with low leakage currents. ⺠Freely voltage-configurable CMOS logic via back-bias selection. ⺠Provides additional flexibility in integrated circuit design for reconfigurable logic.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 70, April 2012, Pages 33-38
Journal: Solid-State Electronics - Volume 70, April 2012, Pages 33-38
نویسندگان
F. Wessely, T. Krauss, U. Schwalke,