کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
7151249 1462265 2011 5 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
On the inclusion of Lorentz force effects in TCAD simulations
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه سایر رشته های مهندسی مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
On the inclusion of Lorentz force effects in TCAD simulations
چکیده انگلیسی
A new implementation of the Lorentz force is presented in TCAD field solving. The method is applicable to metallic and semiconducting materials. Apart from external magnetic fields, the self-induced magnetic fields are also taken into account. The soundness of the implementation is demonstrated by comparing the numerical results with the outcomes of analytic solutions for a simple wire structure.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volumes 65–66, November–December 2011, Pages 103-107
نویسندگان
, , , ,