کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7151249 | 1462265 | 2011 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
On the inclusion of Lorentz force effects in TCAD simulations
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
A new implementation of the Lorentz force is presented in TCAD field solving. The method is applicable to metallic and semiconducting materials. Apart from external magnetic fields, the self-induced magnetic fields are also taken into account. The soundness of the implementation is demonstrated by comparing the numerical results with the outcomes of analytic solutions for a simple wire structure.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volumes 65â66, NovemberâDecember 2011, Pages 103-107
Journal: Solid-State Electronics - Volumes 65â66, NovemberâDecember 2011, Pages 103-107
نویسندگان
Wim Schoenmaker, Peter Meuris, Jean Jimenez, Philippe Galy,