کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
745933 | 1462209 | 2016 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Design of embedded SCR device to improve ESD robustness of stacked-device output driver in low-voltage CMOS technology
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
This study proposes a novel design for an embedded silicon-controlled rectifier (SCR) device to improve the electrostatic discharge (ESD) robustness of a stacked-device output driver. A 3 × VDD-tolerant stacked-device output driver with embedded SCR is demonstrated using a 0.18 μm CMOS process with VDD of 3.3 V. This design is verified in a silicon chip, and it is shown that the proposed output driver with embedded SCR can deliver an output voltage of 3 × VDD. The ESD robustness can be improved without the use of any additional ESD protection device or layout area. Furthermore, the proposed design can also be used for an n × VDD-tolerant stacked-device output driver to improve its ESD robustness.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 124, October 2016, Pages 28–34
Journal: Solid-State Electronics - Volume 124, October 2016, Pages 28–34
نویسندگان
Chun-Yu Lin, Yan-Lian Chiu,