کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
746465 | 1462220 | 2015 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Role of the gate in ballistic nanowire SOI MOSFETs
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In this paper we report the results of Monte-Carlo simulations performed on double-gate ballistic MOSFETs with a geometry such that the gates overlap only a fraction of the channel. We present a qualitative analysis of the simulation results highlighting the similarities and differences between ballistic devices of 10 nm and 100 nm channel length, in an attempt to understand the electrostatics in a ballistic channel, especially the influence of the gate, source and drain terminals on the channel.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 112, October 2015, Pages 24–28
Journal: Solid-State Electronics - Volume 112, October 2015, Pages 24–28
نویسندگان
A. Mangla, J.-M. Sallese, C. Sampedro, F. Gamiz, C. Enz,