کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
746467 | 1462220 | 2015 | 9 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Consistent low-field mobility modeling for advanced MOS devices
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In this paper we develop several extensions to semi-classical modeling of low-field mobility, which are necessary to treat planar and non-planar channel geometries on equal footing. We advance the state-of-the-art by generalizing the Prange-Nee model for surface roughness scattering to non-planar geometries, providing a fully numerical treatment of Coulomb scattering, and formulating the Kubo-Greenwood mobility model in a consistent, dimension-independent manner. These extensions allow meaningful comparison of planar and non-planar structures alike, and open the door to evaluating emerging device concepts, such as the FinFET or the junction-less transistor, on physical grounds.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 112, October 2015, Pages 37–45
Journal: Solid-State Electronics - Volume 112, October 2015, Pages 37–45
نویسندگان
Zlatan Stanojević, Oskar Baumgartner, Lidija Filipović, Hans Kosina, Markus Karner, Christian Kernstock, Philipp Prause,