کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
747190 | 894505 | 2010 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Fabrication and characterization of p-Si nanowires/ZnO film heterojunction diode
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Vertical aligned p-Si nanowires were fabricated by electroless wet chemical etching of Si wafer. p-Si nanowires/ZnO thin film heterojunction diode was fabricated by depositing ZnO thin film on vertically aligned p-Si nanowire arrays. Optical studies revealed that the Si nanowire surface has porous silicon like structure. The junction properties were evaluated by measuring I–V and C–V characteristics. I–V characteristics exhibited well defined rectifying behavior with a turn-on voltage of 2.26 V and ideality factor of 4.5.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 54, Issue 12, December 2010, Pages 1582–1585
Journal: Solid-State Electronics - Volume 54, Issue 12, December 2010, Pages 1582–1585
نویسندگان
Ji-Hyuk Choi, Sachindra Nath Das, Kyeong-Ju Moon, Jyoti Prakash Kar, Jae-Min Myoung,