کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
747207 | 894505 | 2010 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Robust memory cell cylinder capacitor with cross double patterning technology
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Robust memory cell cylinder capacitor with cross double patterning technology (cross DPT) was successfully developed for the first time. Cross DPT was introduced to overcome overlay problems of conventional DPT. During second patterning reticle is rotated by 90° therefore pattern to pattern overlay in cross DPT is not as critical as in conventional DPT. Memory cell cylinder capacitor with cross DPT showed more rectangular shape without any physical failure and capacitance of cell capacitor with cross DPT is improved up to â¼8% compared to capacitance of cell capacitor with single exposure technique (SET).
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 54, Issue 12, December 2010, Pages 1675-1679
Journal: Solid-State Electronics - Volume 54, Issue 12, December 2010, Pages 1675-1679
نویسندگان
Seong-Goo Kim, Cheon Bae Kim,