کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
747241 | 894511 | 2010 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Studies on vacuum deposited p-ZnTe/n-ZnSe heterojunction diodes
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
p-ZnTe/n-ZnSe heterojunction diodes were prepared by vacuum deposition and a detailed electrical characterization of the heterojunction was performed. The I–V and C–V characteristics of the heterojunction diodes were studied to determine the conduction mechanism, barrier height, space charge density and thickness of the depletion region in the heterojunction. The bandgap and activation energies of n-ZnSe and p-ZnTe were also determined and a theoretical band diagram of p-ZnTe/n-ZnSe heterojunction was drawn based on Anderson’s model.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 54, Issue 8, August 2010, Pages 787–790
Journal: Solid-State Electronics - Volume 54, Issue 8, August 2010, Pages 787–790
نویسندگان
Gowrish K. Rao, Kasturi V. Bangera, G.K. Shivakumar,