کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
747242 | 894511 | 2010 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A generic numerical model for detection of terahertz radiation in MOS field-effect transistors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: A generic numerical model for detection of terahertz radiation in MOS field-effect transistors A generic numerical model for detection of terahertz radiation in MOS field-effect transistors](/preview/png/747242.png)
چکیده انگلیسی
A generic numerical model which is valid both in the strong inversion regime and sub-threshold regime for the detection of terahertz radiation utilizing Metal–Oxide–Semiconductor (MOS) Field-Effect Transistors (FETs) is developed in this paper. A general carrier density equation and gate leakage current are coupled to the basic hydrodynamic equations which govern the electron transport in the 2D channel of the MOS field-effect transistor to obtain the numerical solution; a progress-based photo-response signal of the terahertz radiation of MOSFET is calculated. The simulation results are compared with existing analytical results, proving the validity of the proposed numerical model and overcoming limitations of the analytical theories.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 54, Issue 8, August 2010, Pages 791–795
Journal: Solid-State Electronics - Volume 54, Issue 8, August 2010, Pages 791–795
نویسندگان
Yinglei Wang, Zhifeng Yan, Jingxuan Zhu, Lining Zhang, Xinnan Lin, Jin He, Juncheng Cao, Mansun Chan,