کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
747456 | 894524 | 2009 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Overview and future challenges of floating body RAM (FBRAM) technology for 32 nm technology node and beyond
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Overview and future challenges of floating body RAM (FBRAM) technology for 32 nm technology node and beyond Overview and future challenges of floating body RAM (FBRAM) technology for 32 nm technology node and beyond](/preview/png/747456.png)
چکیده انگلیسی
Floating body cell (FBC) is a one-transistor memory cell on SOI substrate aimed at high-density embedded memory on SOC. In order to verify this memory cell technology, a 128 Mb floating body RAM (FBRAM) with FBC has been designed and successfully developed. The memory cell design and the experimental results, including single-cell operation, are reviewed. Based on the experimental results, the scalability of FBC down to 32 nm technology node is also discussed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 53, Issue 7, July 2009, Pages 676–683
Journal: Solid-State Electronics - Volume 53, Issue 7, July 2009, Pages 676–683
نویسندگان
Takeshi Hamamoto, Takashi Ohsawa,