کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
747456 | 894524 | 2009 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Overview and future challenges of floating body RAM (FBRAM) technology for 32 nm technology node and beyond
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Floating body cell (FBC) is a one-transistor memory cell on SOI substrate aimed at high-density embedded memory on SOC. In order to verify this memory cell technology, a 128 Mb floating body RAM (FBRAM) with FBC has been designed and successfully developed. The memory cell design and the experimental results, including single-cell operation, are reviewed. Based on the experimental results, the scalability of FBC down to 32 nm technology node is also discussed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 53, Issue 7, July 2009, Pages 676–683
Journal: Solid-State Electronics - Volume 53, Issue 7, July 2009, Pages 676–683
نویسندگان
Takeshi Hamamoto, Takashi Ohsawa,