کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
747473 | 894524 | 2009 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Impact of a HTO/Al2O3 bi-layer blocking oxide in nitride-trap non-volatile memories
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
In this work, we present an experimental and theoretical study of nitride-trap devices with a HTO/Al2O3 bi-layer blocking oxide. Such (Silicon/Alumina/HTO/Nitride/Oxide/Silicon) SAONOS devices are compared with standard (Silicon/HTO/Nitride/Oxide/Silicon) SONOS and (Silicon/Alumina/Nitride/Oxide/Silicon) SANOS memories. The role of the different layers (blocking oxide and control gate) is deeply analyzed, focusing on their impact on memory performance and reliability. Then, a semi-analytical model is developed, which provides a good understanding of the physical mechanisms at the origin of program/erase characteristics.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 53, Issue 7, July 2009, Pages 786–791
Journal: Solid-State Electronics - Volume 53, Issue 7, July 2009, Pages 786–791
نویسندگان
M. Bocquet, G. Molas, L. Perniola, X. Garros, J. Buckley, M. Gély, J.P. Colonna, H. Grampeix, F. Martin, V. Vidal, A. Toffoli, S. Deleonibus, G. Ghibaudo, G. Pananakakis, B. De Salvo,