کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
747474 | 894524 | 2009 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Floating gate technology for high performance 8-level 3-bit NAND flash memory
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
8-Level NAND flash memories with 51 nm design rule and 44-cell string floating gate technology have been successfully developed for the first time. 44-Cell string with floating poly silicon and tungsten silicide (WSi) gate structure reduced the cell area per bit and improved chip cost efficiency. 44-Cell string structure shows acceptable cell current and the results of endurance and disturbance characteristics are quite comparable to the conventional 32-cell string structure. Importance of pass voltage disturbance regarding 8-level and extended cell string was analyzed and improved. Controlled cell dimension uniformity and crystalline property achieved tight distribution of cell Vth.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 53, Issue 7, July 2009, Pages 792–797
Journal: Solid-State Electronics - Volume 53, Issue 7, July 2009, Pages 792–797
نویسندگان
Tae-Kyung Kim, Sungnam Chang, Jeong-Hyuk Choi,