کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
747513 | 1462269 | 2006 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Gate current modeling of high-k stack nanoscale MOSFETs
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
A unified approach, particularly suitable for evaluation of high-k stack structures, is presented. This approach is based on fully self-consistent solutions to the Schrödinger and Poisson equations. Various structures and materials of high-k stacks of interest have been examined and compared to access the reduction of gate current in these structures. The present approach is capable of modeling high-k stack structures consisting of multiple layers of different dielectrics. The results of gate current and capacitance obtained from our model are in very good agreement with experimental data.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 50, Issues 9–10, September–October 2006, Pages 1489–1494
Journal: Solid-State Electronics - Volume 50, Issues 9–10, September–October 2006, Pages 1489–1494
نویسندگان
Wei Wang, Ning Gu, J.P. Sun, P. Mazumder,