کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
747526 | 1462269 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Forward and reverse current–voltage–temperature characteristics of a typical BPW34 photodiode
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The dark forward and reverse current–voltage characteristics of a typical BPW34 silicon photodiode have been investigated in the temperature range 80–300 K. We propose that tunnelling enhanced recombination at or close to the p/i interface plays a significant role in the dark forward current. We show that Bardeen’s model for a modified Schottky-like interfacial junction can be satisfactorily applied to describe the reverse current–voltage characteristics at intermediate bias voltages.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 50, Issues 9–10, September–October 2006, Pages 1563–1566
Journal: Solid-State Electronics - Volume 50, Issues 9–10, September–October 2006, Pages 1563–1566
نویسندگان
Habibe Bayhan, Şadan Özden,