کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
747536 | 1462269 | 2006 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Investigation of scaling of InSb MOSFETs through drift–diffusion simulation
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Models needed for drift–diffusion simulation of InSb MOSFETs in commercially available simulator are presented and applied to the problem of scaling of the exclusion/extraction InSb MOSFETs. Non-parabolicity, degeneracy, mobility and Auger recombination/generation are explained and modeled. Leakage current and maximum unity current gain frequency of the exclusion/extraction MOSFET are examined and its scaling properties down to 0.15 μm are analyzed. Because of its high mobility and saturation velocity, InSb shows promise as a material for THz active devices operating at very low voltages, despite its low bandgap and resulting leakage currents.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 50, Issues 9–10, September–October 2006, Pages 1634–1639
Journal: Solid-State Electronics - Volume 50, Issues 9–10, September–October 2006, Pages 1634–1639
نویسندگان
Edin Sijerčić, Branimir Pejčinović,