کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
747578 | 894543 | 2006 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Phase change memories: State-of-the-art, challenges and perspectives
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Among the emerging non-volatile technologies, phase change memories (PCM) are the most attractive in terms of both performance and scalability perspectives. The paper reviews the physics underlying PCM operation, the scaling potentials of these devices and some options recently proposed for the cell structure. The paper also addresses the main challenges for the PCM to become fully competitive with standard Flash technology.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 50, Issue 1, January 2006, Pages 24–31
Journal: Solid-State Electronics - Volume 50, Issue 1, January 2006, Pages 24–31
نویسندگان
A.L. Lacaita,