کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
747578 894543 2006 8 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Phase change memories: State-of-the-art, challenges and perspectives
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه سایر رشته های مهندسی مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Phase change memories: State-of-the-art, challenges and perspectives
چکیده انگلیسی

Among the emerging non-volatile technologies, phase change memories (PCM) are the most attractive in terms of both performance and scalability perspectives. The paper reviews the physics underlying PCM operation, the scaling potentials of these devices and some options recently proposed for the cell structure. The paper also addresses the main challenges for the PCM to become fully competitive with standard Flash technology.

ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 50, Issue 1, January 2006, Pages 24–31
نویسندگان
,