کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
747595 | 894599 | 2016 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Copper electromigration modeling including barrier layer effect
ترجمه فارسی عنوان
مدلسازی الکترومغناطیس مس، از جمله اثر لایه مانع
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
چکیده انگلیسی
Electromigration lifetime considering the barrier layer effect under the DC and pulsed DC stress is analyzed numerically. The barrier layer used to stop the copper diffusion also improves the interconnect lifetime. The improvement of lifetime under the DC stress is higher than that under the pulsed DC stress. The lifetime model predictions are also compared with experimental data. Good agreement between the model predictions and experiments is obtained.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 45, Issue 12, December 2001, Pages 2011–2016
Journal: Solid-State Electronics - Volume 45, Issue 12, December 2001, Pages 2011–2016
نویسندگان
W. Wu, J.S. Yuan,